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数量:8000 |
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规格书 |
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文档 |
Wire Bond 01/Dec/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
标准包装 | 4,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 300mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 200 @ 1A, 1V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | 215MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 4SOT-223 |
类型 | NPN |
引脚数 | 4 |
最大集电极发射极电压 | 40 V |
集电极最大直流电流 | 3 A |
最小直流电流增益 | 220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V |
最大工作频率 | 215(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.1@5mA@0.5A|0.15@10mA@1A|0.3@0.3A@3A V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 2000 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
增益带宽产品fT | 215 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 220 |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-223 |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Reel |
工厂包装数量 | 4000 |
集电极最大直流电流 | 3 |
Maximum Transition Frequency | 215(Typ) |
包装宽度 | 3.5 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 2000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOT-223 |
标准包装名称 | SOT-223 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.5 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
包装高度 | 1.57 |
最大基地发射极电压 | 6 |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 3A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 215MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 300mA, 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | SOT-223 |
功率 - 最大 | 2W |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 200 @ 1A, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
系列 | NJT4031N |
品牌 | ON Semiconductor |
身高 | 1.57 mm |
宽度 | 3.5 mm |
长度 | 6.5 mm |
Pd - Power Dissipation | 2000 mW |
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